MOS管MOSFET科普介紹：工作原理、應用和驅動電路

發(fā)布時間：2024-04-07

MOS管，即MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的半導體器件，主要用于電路中的開關和放大等功能。以下是關于MOSFET的介紹：工作原理MOSFET中的MOS代表金屬氧化物半導體。MOSFET的工作原理是利用柵極與基極之間的電場控制通道的電阻值，從而實現(xiàn)放大或開關控制。三個極MOSFET的三個極分別是源極、柵極和漏極。源極和漏極之間的通道受柵極控制，柵極與源極之間的電壓改變通道電阻，從而改變源極和漏極之間的電 ...123

晶振為什么并沒有封裝到IC芯片中？

發(fā)布時間：2024-04-07

有一些電子設備需要高度穩(wěn)定的交流信號，而LC振蕩器的穩(wěn)定性較差，頻率容易漂移，導致交流信號頻率變化。采用石英晶體可以在振蕩器中產(chǎn)生高度穩(wěn)定的信號，這種振蕩器稱為晶振。電子元器件的小型化趨勢促進了社會的發(fā)展，因此有人想將晶振電路封裝到IC芯片內(nèi)部，但由于實際原因，晶振并沒有內(nèi)置到IC芯片中。原因包括：芯片制造封裝工藝、實用性和成本考慮；芯片和晶振材料不同，封裝在一起成本高；外部晶振更易更換頻率。芯片內(nèi)部有PLL，但成本和頻率需求可能不匹配。"片內(nèi)時鐘"可能實際上是RC振蕩電路。 ...123

半導體高級封裝技術：技術快速演進成為行業(yè)支柱

發(fā)布時間：2024-04-07

高級封裝技術將在未來半導體領域扮演重要角色。在未來五年內(nèi)，一個系統(tǒng)中芯片數(shù)量將從4-10增加到10-30（增長3倍），預計十年后這一數(shù)字將進一步增加；在內(nèi)存方面，新的內(nèi)存架構將改善內(nèi)存墻問題，望解決內(nèi)存容量、速度和功耗成為系統(tǒng)瓶頸的情況；在互聯(lián)方面，未來十年高級封裝的互聯(lián)線數(shù)量將從1000-2000增加至8000，同時采用新的IO接口技術（如PAM8和高密度WDM光學互聯(lián)）以提升數(shù)據(jù)帶寬并降低數(shù)據(jù)移動成本。這些需求對應了高級封裝技術的技術發(fā)展，MAPT在高級封裝章節(jié)提出了未來十年的技術方向。未來 ...123

基于視覺檢測的半導體器件表面除塵方法及其系統(tǒng)

發(fā)布時間：2024-03-31

基于視覺檢測的半導體器件表面除塵方法及其系統(tǒng)本發(fā)明公開了一種基于視覺檢測的半導體器件表面除塵方法及其系統(tǒng)，該方法包括：采集半導體器件的實時圖像，將實時圖像與預設基準圖像匹配對比，從而得到半導體器件表面上灰塵異物的位置信息以及灰塵異物圖像；根據(jù)灰塵異物圖像的面積大小拾取對應規(guī)格的除塵棒，并根據(jù)灰塵異物的位置信息，驅動除塵棒與灰塵異物進行接觸并粘除。采用圖像識別方式，快速識別半導體器件表面的灰塵異物，根據(jù)實時獲取的灰塵異物圖像選擇最匹配的除塵棒接觸并粘除，這樣可以做到快速地完成除塵工作，同時除塵棒消 ...123

半導體器件焊線三維檢測方法及其系統(tǒng)

發(fā)布時間：2024-03-31

半導體器件焊線三維檢測方法及其系統(tǒng)本發(fā)明公開了一種半導體器件焊線三維檢測方法及其系統(tǒng)，獲取待測半導體器件的三維點云模型圖像，并通過ICP算法匹配查詢焊線區(qū)域在半導體器件上的定位信息；根據(jù)定位信息在半導體器件上設置多個識別區(qū)域，根據(jù)三維點云模型圖像中焊線區(qū)域關系獲取每一個識別區(qū)域的焊線三維數(shù)據(jù)；根據(jù)識別區(qū)域的焊線三維數(shù)據(jù)與焊線的預設三維模型比對，計算焊線三維模型與預設三維模型的歐氏距離；根據(jù)歐氏距離與預設閾值的比較結果，得到焊線的缺陷檢測結果。由于僅需要CCD攝像頭對整個半導體器件進行光柵條紋圖像 ...123